零件編號(hào) | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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SI9926DY | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features ?6.5A,20V.RDS(ON)=0.030?@VGS=4.5VRDS(ON)= | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
SI9926DY | Dual N-Channel MOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | |
Dual N-Channel MOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
Dual N-Channel MOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET | SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成電路大中集成電路股份有限公司 | SINOPWER | ||
DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司 | DOINGTER |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
SI9926DY
- 功能描述:
MOSFET SO8 DUAL NCH 20V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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