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SI9936DY中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI9936DY
廠商型號

SI9936DY

功能描述

N-channel enhancement mode field-effect transistor

文件大小

260.66 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 23:21:00

SI9936DY規(guī)格書詳情

Description

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology.

Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS? technology.

Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium-ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI9936DY

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 DUAL NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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