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首頁(yè)>SI9945BDY-T1-GE3>芯片詳情
SI9945BDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V德力誠(chéng)信科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SI9945BDY-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王女士
- 手機(jī):
13969210552
- 詢價(jià):
- 電話:
13969210552
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)城市商業(yè)中心3204
相近型號(hào)
- SI9945D
- SI9945BDY(UMW)
- SI9945DY
- SI9945BDY
- SI9945DY1-E3
- SI9945B
- SI9945ARY-T1-E3
- SI9945DY-NL
- SI9945DY-T
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- SI9945DY-T1
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- SI9945ADY-T1
- SI9947DY-T1-E3
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