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SIA419DJ-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIA419DJ-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
22+
DFN6
9850
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 詢(xún)價(jià)
Vishay/Siliconix
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SC-70-6
7500
詢(xún)價(jià)
VISHAY
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SC70-6
6680
全新原裝優(yōu)勢(shì)
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VISHAY/威世
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QFN
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原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅
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SMD
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一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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QFN6
36520
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 詢(xún)價(jià)
VISHAY
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SC-70-6
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 詢(xún)價(jià)
VISHAY
23+
QFN6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
VISHAY/威世
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DFN6
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢(xún)價(jià)
更多SIA419DJ-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-22 17:31:00

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