首頁>SIA421DJ-T1-GE3>芯片詳情

SIA421DJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V德正通電子

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號:

    SIA421DJ-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量:

    12000

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號:

    兩年內(nèi)

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-11-15 13:49:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:SIA421DJ-T1-GE3品牌:Vishay(威世)

原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下!

  • 芯片型號:

    SIA421DJ-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱:

    微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1252.51 kb

  • 資料說明:

    P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    SIA421DJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市德正通電子有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    潘先生

  • 手機:

    15019215383

  • 詢價:
  • 電話:

    15019215383

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1002號賽格廣場5811B