訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
SiA426DJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V得捷芯城科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SiA426DJ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.5A 19W 23.6mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市得捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖先生
- 手機(jī):
19076157484
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82538261
- 傳真:
0755-82539558
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層
相近型號(hào)
- SIA427ADJT1GE3
- SIA425EDJT1GE3
- SIA427ADJ-T1-GE3
- SIA425EDJ-T1-E3
- SIA427DJ-T1-E3
- SIA421DJ-T1-GE3MOS()
- SIA427DJT1GE3
- SIA421DJ-T1-GE3IC
- SIA427DJ-T1-GE3
- SIA421DJ-T1-GE3
- SIA421DJT1GE3
- SIA421DJ-T1-E3
- SIA429DJT
- SIA421DJ
- SIA429DJ-T1-E3
- SIA429DJ-T1-GE3
- SIA429DJTT1GE3
- SIA429DJT-T1-GE3
- SIA419DJ-T1-GE3
- SIA419DJT1GE3
- SIA429DJT-T1-GE5
- SIA419DJ-T1-E3
- SIA429DJT-T1-GE7
- SIA419DJ/T1/GE3
- SIA419DJ
- SIA430DJT
- SIA418DJ-T1-GE3IC
- SIA430DJ-T1-E3
- SIA418DJ-T1-GE3
- SIA430DJT1GE3
- SIA418DJT1GE3
- SIA430DJ-T1-GE3
- SIA418DJ-T1-E3
- SIA430DJ-T4-GE3
- SIA417DJ-T1-GE3
- SIA430DJT-T1-E3
- SIA417DJT1GE3
- SIA430DJT-T1-GE3
- SIA417DJ-T1-E3
- SIA417DJ-T1
- SIA430DJT-T4-GE3
- SIA431DJ
- SIA416DJ-T1-GE3
- SIA431DJ-T1
- SIA416DJT1GE3
- SIA431DJ-T1-E3
- SIA416DJ-T1-E3
- SIA431DJT1GE3
- SIA416DJ
- SIA431DJ-T1GE3