首頁>SIA777EDJ-T1-GE3>詳情

SIA777EDJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L科雨四部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    SIA777EDJ-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    3675

  • 產(chǎn)品封裝：

    SC-70-6

  • 生產(chǎn)批號：

    1809+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2021-9-14 10:50:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SIA777EDJ-T1-GE3品牌：VISHAY

就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!

  • 芯片型號：

    SIA777EDJ-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明：

    MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIA777EDJ-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周小姐

  • 手機：

    17147551968

  • 詢價：
  • 電話：

    171-4755-1968

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2418室

相近型號