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SIA817EDJ-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SIA817EDJ-T1-GE3
廠商型號(hào)

SIA817EDJ-T1-GE3

功能描述

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件大小

365.22 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 17:19:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIA817EDJ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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