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SIA911EDJ-T1-GE3_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V齊創(chuàng)科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIA911EDJ-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.5A 7.8W 101mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王先生/綦先生【原裝正品】
- 手機(jī):
18616352679
- 詢價(jià):
- 電話:
021-32301707
- 地址:
上海市靜安區(qū)海寧路1399號/北京市海淀區(qū)中海園電子市場/青島市城陽區(qū)正陽路205號
相近型號
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