首頁>SIA975DJ-T1-GE3>詳情

SIA975DJ-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III威爾健半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    SIA975DJ-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN-6

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-7 11:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SIA975DJ-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號：

    SIA975DJ-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    356.49 kb

  • 資料說明：

    Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIA975DJ-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET -12V 41mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    17302670410

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17e

相近型號