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SIB912DK-T1-GE3

Dual N-Channel 20-V MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIB912DK-T1-GE3

Dual N-Channel 20 V MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SMMB912DK-T1-GE3

DualN-Channel20V(D-S)MOSFETs

FEATURES ?HighQualityManufacturingProcessUsingSMM ProcessFlow ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?NewThermallyEnhancedPowerPAK?SC-75 Package -SmallFootprintArea ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC ?Findo

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SMMB912DK-T1-GE3

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SIB912DK-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SIB912DK-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-5-16 19:01:00