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SIDR402DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIDR402DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SIDR402DP-T1-GE3

功能描述

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件大小

233.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-7 23:00:00

SIDR402DP-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? Top side cooling feature provides additional

venue for thermal transfer

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? OR-ing

? High power density DC/DC

? Motor drive control

? Battery management

? Load switch

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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