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SIDR608EP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIDR608EP
廠商型號

SIDR608EP

功能描述

N-Channel 45 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件大小

180.15 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 17:08:00

SIDR608EP規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? 45 V Drain-source break-down voltage

? Tuned for low Qg and Qoss

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? High power density DC/DC

? Motor drive control

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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