SIE802DF中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
SIE802DF規(guī)格書詳情
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET? Gen II Power MOSFET
? Ultra Low Thermal Resistance Using Top-
Exposed PolarPAK? Package for Double-Sided
Cooling
? Leadframe-Based New Encapsulated Package
- Die Not Exposed
- Same Layout Regardless of Die Size
? Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through
? 100 Rg and UIS Tested
? Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? VRM
? DC/DC Conversion: Low-Side
? Synchronous Rectification
產(chǎn)品屬性
- 型號:
SIE802DF
- 功能描述:
MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
QFN |
35200 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
2402+ |
POLARPAK |
8324 |
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VIS |
24+ |
6000 |
詢價 | ||||
Vishay Siliconix |
2022+ |
10-PolarPAK?(L) |
38550 |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY |
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VISHAY |
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POLARPAK |
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VISHAY |
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10-PolarPAK |
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VISHAY |
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QFN |
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