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首頁>SIE818DF-T1-E3>芯片詳情
SIE818DF-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V安博威科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SIE818DF-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市安博威科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳先生
- 手機(jī):
18320850923
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82579431
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場1718
相近型號(hào)
- SIF15N65F
- SIE800DF-T1-E3
- SIF18N65F
- SIE52C7V5
- SIF1N60C
- SIE52C15
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- SIE24A
- SIF-21.4+
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- SIDR622DP-T1-RE3
- SIF912EDZ-T1-GE3
- SIDR622DP-T1-GE3
- SIF9N65F
- SIDR608EP-T1-RE3
- SIFB740377-00
- SIDR608DP-T1-RE3
- SIG01-06
- SIDR402EP-T1-RE3
- SIG1Z5V1T1G
- SIDR392DP-T1-GE3
- SIG20N60P
- SIDR220EP-T1-RE3
- SIG252012-2R2
- SIDR220DP-T1-GE3
- SIG25N60F