訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SIE818DF-T1-E3>詳情
SIE818DF-T1-E3_VAISH_MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V一線半導(dǎo)體3部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIE818DF-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云小姐/廖小姐
- 手機:
19168775913
- 詢價:
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A
相近型號
- SIE816DFT1GE3
- SIE820DFT1GE3
- SIE816DF-T1-E3
- SIE820DF-T1-GE3
- SIE816DFT1E3
- SIE822DFT1E3
- SIE812DF-T1-GE3
- SIE822DF-T1-E3
- SIE812DFT1GE3
- SIE822DF-T1-E3CT
- SIE812DF-T1-E3
- SIE822DFT1GE3
- SIE812DFT1E3
- SIE822DF-T1-GE3
- SIE812DF
- SIE830DFT1E3
- SIE810DF-T1-GE3
- SIE830DF-T1-E3
- SIE810DFT1GE3
- SIE830DFT1GE3
- SIE810DF-T1-E3
- SIE830DF-T1-GE3
- SIE810DFT1E3
- SIE832DF
- SIE808DF-T1-GE3
- SIE832DFT1E3
- SIE808DFT1GE3
- SIE832DF-T1-E3
- SIE832DFT1GE3
- SIE808DF-T1-E3IC
- SIE832DF-T1-GE3
- SIE808DF-T1-E3
- SIE836DF
- SIE808DFT1E3
- SIE836DFT1E3
- SIE836DF-T1-E3
- SIE806DF-T1-GE3
- SIE836DFT1GE3
- SIE806DFT1GE3
- SIE836DF-T1-GE3
- SIE806DF-T1-E3
- SIE844DFT1E3
- SIE806DFT1E3
- SIE844DF-T1-E3
- SIE806DF
- SIE844DF-T1-E4
- SIE804DF-T1-GE3
- SIE844DFT1GE3
- SIE804DFT1GE3
- SIE844DF-T1-GE3