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SIGC12T60SNC	文件：79.62 Kbytes Page：4 Pages	IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AOB12T60P	文件：333.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=950V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOB12T60P	文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages	600V,12AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOB12T60PL	文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF12T60	文件：436.07 Kbytes Page：6 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF12T60L	文件：436.07 Kbytes Page：6 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF12T60P	文件：288.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOTF12T60P	文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF12T60PL	文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOWF12T60	文件：230.29 Kbytes Page：6 Pages	600V,12AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOWF12T60P	文件：434.28 Kbytes Page：6 Pages	600V,12AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
OTF12T60P	文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages	600V,12AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
SIGC12T60NC	文件：69.59 Kbytes Page：4 Pages	IGBTChipinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

詳細(xì)參數(shù)

型號：
SIGC12T60SNC
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市星辰微電科技有限公司	SIGC12T60SNC	INFINEON/英飛凌	22+	N/A	15000	英飛凌MOS管、IGBT大量有貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SIGC12T60SNC	INFINEON	23+	1	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	SIGC12T60SNC	INFINEON	23+	1	7000		詢價
深圳市芯皇電子有限公司	SIGC12T60SNC	INFINEON/英飛凌	22+	N/A	9000	專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	SIGC144T170R2C	INFINEON	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	SIGC156T120R2C	INFINEON	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價
深圳市恒佳微電子有限公司	SIGC156T120R2CLX1SA1	INFINEON/英飛凌	2021+		45000	十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十	詢價

更多SIGC12T60SNC供應(yīng)商更新時間2025-1-10 16:12:00

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