SIGC158T120R3L 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SIGC158T120R3L參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SIGC158T120R3L

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    15000

  • 產(chǎn)品封裝:

    N/A

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-18 14:11:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):SIGC158T120R3L品牌:INFINEON/英飛凌

英飛凌MOS管、IGBT大量有貨

SIGC158T120R3L是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝N/A/模具的SIGC158T120R3L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    SIGC158T120R3L

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng):

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    10 頁(yè)

  • 文件大小:

    201.5 kb

  • 資料說(shuō)明:

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    SIGC158T120R3LEX1SA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,150A

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 150A DIE

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市星辰微電科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    吳先生

  • 手機(jī):

    17375148621

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-82713279

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411