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SIGC19T60SE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SIGC19T60SE |
| 參數(shù)屬性 | SIGC19T60SE 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 3 CHIP 600V |
| 功能描述 | 600V trench & field stop technology |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
286.17 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-20 11:20:00 |
SIGC19T60SE規(guī)格書詳情
SIGC19T60SE屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC19T60SE晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SIGC19T60SEX1SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.97V @ 15V，40A
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
IGBT 3 CHIP 600V
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
-- |
14253 |
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十, |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營(yíng)原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
7000 |
詢價(jià) | ||||
Infineon Technologies |
24+ |
模具 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) |
