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SIGC84T120R3L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
SIGC84T120R3L |
參數(shù)屬性 | SIGC84T120R3L 包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 75A DIE |
功能描述 | IGBT3 Chip |
文件大小 |
71.36 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱(chēng) | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-29 23:03:00 |
SIGC84T120R3L規(guī)格書(shū)詳情
SIGC84T120R3L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SIGC84T120R3L晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
SIGC84T120R3LEX1SA7
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
TrenchStop?
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 描述:
IGBT 1200V 75A DIE
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SIGE |
24+ |
QFN |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢(xún)價(jià) | ||
ADI/亞德諾 |
原封裝 |
66900 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
SIGE |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量 |
詢(xún)價(jià) | ||||
ANADIGCS |
23+ |
QFP |
98900 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨!! |
詢(xún)價(jià) | ||
ADI/亞德諾 |
22+ |
66900 |
原封裝 |
詢(xún)價(jià) | |||
SIG |
22+ |
SOP-28 |
10000 |
原裝正品優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | ||
SIGE |
16+ |
QFN |
2500 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
1 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
1 |
7000 |
詢(xún)價(jià) | |||
SIGE |
24+ |
QFP |
4811 |
詢(xún)價(jià) |