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SIHB22N60E-E3_SIGMASTAR/星宸科技_MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS國(guó)宇三部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SIHB22N60E-E3
- 功能描述:
MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機(jī):
17704083728
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82578201
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)5107
相近型號(hào)
- SIHB22N60EL
- SIHB21N80AE-GE3
- SIHB22N60EL-GE3
- SIHB21N65EF-GE3
- SIHB22N60ET1
- SIHB21N65EFGE3
- SIHB22N60ET10GE3
- SIHB21N60EF-GE3
- SIHB22N60ET1-GE3
- SIHB21N60EFGE3
- SIHB21N60EF
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- SIHB20N50EGE3
- SIHB22N60S
- SIHB20N50E
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- SIHB22N60S-E3
- SIHB18N60E
- SIHB22N60S-GE3
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- SIHB22N65E-GE3
- SIHB17N80E-T1-GE3
- SIHB23N60E
- SIHB17N80E-GE3
- SIHB23N60EGE3
- SIHB17N80AE-GE3
- SIHB23N60E-GE3
- SIHB16N50CTR-E3
- SIHB24N65E
- SIHB16N50CTL-E3
- SIHB24N65E-13
- SIHB24N65EE3
- SIHB16N50C-E3
- SIHB24N65E-E3
- SIHB16N50CE3
- SIHB24N65E-E3IC
- SIHB16N50C
- SIHB24N65EFGE3
- SIHB15N80AE-GE3
- SIHB24N65EF-GE3
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- SIHB24N65EFT1-GE3
- SIHB15N65E
- SIHB24N65EGE3