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SIHB23N60E-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIHB23N60E-GE3
廠商型號

SIHB23N60E-GE3

功能描述

E Series Power MOSFET

文件大小

217.88 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 20:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SIHB23N60E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    23 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.158 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    D2PAK-3

  • 封裝:

    Bulk

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Vishay(威世)
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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