SIHB33N60E-GE3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個-英飛凌

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原廠料號:SIHB33N60E-GE3品牌:Infineon Technologies

資料說明:MOSFET N-CH 600V D2PAK

SIHB33N60E-GE3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝的SIHB33N60E-GE3晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

  • 芯片型號:

    sihb33n60e-ge3

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  • 企業(yè)簡稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    SIHB33N60E-GE3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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