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SIHB8N50D-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS科雨一部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
SIHB8N50D-GE3
- 功能描述:
MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市科雨電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
劉小姐
- 手機(jī):
13352995145
- 詢價(jià):
- 電話:
133-5299-5145
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室
相近型號(hào)
- SIHB6N65E
- SIHC100875-R22K-R29
- SIHB5N80AE-GE3
- SIHC100875-R23K-R29
- SIHB4N80E-GE3
- SIHB35N60E-GE3
- SIHC131309-R30L-R17
- SIHB35N60EGE3
- SIHC73N60EDWF
- SIHB35N60EF-GE3
- SIHD05N50D
- SIHB35N60E
- SIHD11N80AE
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- SIHD12N50E-GE3
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- SIHD14N60E
- SIHB33N60E-GE3
- SIHD14N60EGE3
- SIHB33N60EGE3
- SIHD14N60E-GE3
- SIHB33N60EF-GE3
- SIHD14N60ET1-GE3
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- SIHD180N60E
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- SIHD180N60E-GE3
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- SIHD186N60EFT1-GE3
- SIHB30N60EGE3
- SIHD1K4N60E
- SIHB30N60E-E3
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- SIHB30N60EE3
- SIHD240N60E
- SIHB30N60E
- SIHD240N60E-GE3
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