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SIHB8N50D中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIHB8N50D
廠商型號(hào)

SIHB8N50D

功能描述

D Series Power MOSFET

文件大小

155.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 17:10:00

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SIHB8N50D規(guī)格書詳情

FEATURES

? Optimal Design

- Low Area Specific On-Resistance

- Low Input Capacitance (Ciss)

- Reduced Capacitive Switching Losses

- High Body Diode Ruggedness

- Avalanche Energy Rated (UIS)

? Optimal Efficiency and Operation

- Low Cost

- Simple Gate Drive Circuitry

- Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg

- Fast Switching

? Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Consumer Electronics

- Displays (LCD or Plasma TV)

? Server and Telecom Power Supplies

- SMPS

? Industrial

- Welding

- Induction Heating

- Motor Drives

? Battery Chargers

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIHB8N50D

  • 功能描述:

    MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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