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零件編號(hào) | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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SIHF18N50C | Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | |
DSeriesPowerMOSFET FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit( | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
DSeriesPowerMOSFET FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
PowerMOSFET 1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
500VN-ChannelMOSFET | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司 | MAPLESMI | ||
500VN-ChannelMOSFET | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司 | MAPLESMI | ||
500VN-ChannelMOSFET | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司 | MAPLESMI | ||
AdvancedProcessTechnology | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司 | SILIKRON | ||
500VN-ChannelMOSFET | Good-Ark GOOD-ARK Electronics | Good-Ark | ||
N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-247MOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi | ||
SiliconN-ChannelMOSFET | WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司 | Winsemi |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
SIHF18N50C
- 功能描述:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TO-220 |
6680 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
1503+ |
TO220-3 |
3000 |
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件! |
詢價(jià) | ||
V |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
TO-220-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
V |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
22+23+ |
TO-220 |
54402 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) |
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