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SIHF6N65E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIHF6N65E
廠商型號(hào)

SIHF6N65E

功能描述

Reduced switching and conduction losses

文件大小

179 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-17 22:30:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIHF6N65E

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    7 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.6 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝:

    Bulk

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