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SIHG20N50C	文件：189.26 Kbytes Page：8 Pages	High Peak Current Capability FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?HighPeakCurrentCapability ?dV/dtRuggedness ?ImprovedTrr/Qrr ?ImprovedGateCharge ?HighPowerDissipationsCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C	文件：320.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive ·DC-DCconverter ·Powerswitchandsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SiHG20N50C	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C	文件：420.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHG20N50C-E3	文件：187.36 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?HighPeakCurrentCapability ?dV/dtRuggedness ?ImprovedTrr/Qrr ?ImprovedGateCharge ?HighPowerDissipationsCapability ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C_17	文件：198 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C_V01	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50C-E3	文件：219.58 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50E	文件：208.01 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Lowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Comput	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHG20N50E	文件：444.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHG20N50E	文件：176.86 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHH20N50E	文件：148.84 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP20N50E	文件：159.14 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHP20N50E	文件：328.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHS20N50C	文件：152.72 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerDissipationsCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SK20N50A-T	文件：2.1895 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
SK20N50A-TF	文件：2.1895 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
SLF20N50C	文件：1.30173 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SLP20N50C	文件：1.30173 Mbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SLW20N50C	文件：1.69955 Mbytes Page：7 Pages	THINKISEMI20A,500VN-CHANNELPLANARSTRIPEPOWERMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHG20N50C
功能描述：
MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市得捷芯城科技有限公司	SIHG20N50C	Vishay(威世)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	8176	原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫(kù)存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期	詢價(jià)
深圳市特瑞斯科技有限公司	SIHG20N50C	VISHAY	23+	TO-247	39360	一級(jí)分銷商	詢價(jià)
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更多SIHG20N50C供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 22:59:00

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