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SIHG22N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHG22N65E

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SIHG22N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHG22N65E_V01

E Series Power MOSFET

FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

22N65

22A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

22N65

HEXFETPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

ICE22N65W

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

ICEMOS

Icemos Technology

ICE22N65W

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

MICROSS

Micross Components

SIHB22N65E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SIHB22N65E

ESeriesPowerMOSFET

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詳細參數

  • 型號：

    SIHG22N65E

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    22 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.18 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-247AC

  • 封裝：

    Bulk

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SIHG22N65E供應商 更新時間2025-2-3 14:30:00

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