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SiHG460B-GE3

D Series Power MOSFET

FEATURES ?OptimalDesign ??-LowAreaSpecificOn-Resistance ??-LowInputCapacitance(Ciss) ??-ReducedCapacitiveSwitchingLosses ??-HighBodyDiodeRuggedness ??-AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation ??-LowCost ??-SimpleGateDriveCircuitry ??

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG460B-GE3

D Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIHG460B-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Vishay Siliconix
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持
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VISHAY/威世
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TO247
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多SIHG460B-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-6 14:14:00

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