首頁>SIHP12N65E-GE3>詳情

SIHP12N65E-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS威雅利發(fā)展

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SIHP12N65E-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世科技

  • 庫存數(shù)量：

    10

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO220

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    17+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-27 14:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIHP12N65E-GE3品牌：VISHAY

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào)：

    SIHP12N65E-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明：

    MOSFET 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIHP12N65E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 650V 392Ohm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay/Siliconix

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    700 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    20 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    12 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.392 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    TO-220AB-3

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    18938923845

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座12K

相近型號(hào)