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SIHP17N60D-E3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SIHP17N60D-E3
廠商型號(hào)

SIHP17N60D-E3

功能描述

D Series Power MOSFET

文件大小

176.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-2 20:00:00

SIHP17N60D-E3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Optimal Design

? ?- Low Area Specific On-Resistance

? ?- Low Input Capacitance (Ciss)

? ?- Reduced Capacitive Switching Losses

? ?- High Body Diode Ruggedness

? ?- Avalanche Energy Rated (UIS)

? Optimal Efficiency and Operation

? ?- Low Cost

? ?- Simple Gate Drive Circuitry

? ?- Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg

? ?- Fast Switching

? Material categorization: For definitions of compliance

? ?please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Consumer Electronics

? ?- Displays (LCD or Plasma TV)

? Lighting

? Industrial

? ?- Welding

? ?- Induction Heating

? ?- Motor Drives

? ?- Battery Chargers

? SMPS

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SIHP17N60D-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Vishay(威世)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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