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SIJH112E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SIJH112E
廠商型號(hào)

SIJH112E

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) 175 ?C MOSFET

文件大小

245.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Vishay威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-20 22:59:00

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SIJH112E規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Fully lead (Pb)-free device

? Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

? Up to 200 A maximum continuous drain current

? 50 smaller footprint than D2PAK (TO-263)

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? OR-ing

? Motor drive control

? Battery management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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