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SIJH112E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIJH112E
廠商型號

SIJH112E

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) 175 ?C MOSFET

文件大小

245.08 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 17:22:00

SIJH112E規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Fully lead (Pb)-free device

? Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

? Up to 200 A maximum continuous drain current

? 50 smaller footprint than D2PAK (TO-263)

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? OR-ing

? Motor drive control

? Battery management

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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