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SIJH5100E中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIJH5100E
廠商型號(hào)

SIJH5100E

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) 175 ?C MOSFET

文件大小

209.19 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

SIJH5100E規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen V power MOSFET

? Fully lead (Pb)-free device

? Very low RDS x Qg figure of merit (FOM)

? Up to 277 A maximum continuous drain current

? 50 smaller footprint than D2PAK (TO-263)

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? OR-ing

? Motor drive control

? Battery management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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