首頁(yè)>SIR402DP-T1-E3>詳情

SIR402DP-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET N SO-8納艾斯

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SIR402DP-T1-E3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PAKSO-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2020+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-5 22:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：SIR402DP-T1-E3品牌：VISHAY

只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增

  • 芯片型號(hào)：

    SIR402DP-T1-E3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明：

    MOSFET N SO-8

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIR402DP-T1-E3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    MOSFET N SO-8

  • 功能描述：

    MOSFET, N, SO-8

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    MOSFET, N, SO-8, Transistor

  • Polarity：

    N Channel, Continuous Drain Current

  • Id：

    35A,

  • Id：

    35A, Drain Source Voltage

  • Vds：

    30V, On Resistance

  • Rds(on)：

    6mohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V, Power Dissipation

  • Pd：

    4.2W, Operating Temperature

  • Range：

    -55C to, RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納艾斯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖小姐

  • 手機(jī)：

    13117514091

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-/82781136/2707495

  • 傳真：

    0755-82707495

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格大廈5803A

相近型號(hào)