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SIR662DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET美思瑞電子

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  • 廠家型號：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數量：

    10158

  • 產品封裝：

    PowerPAK-SO-8

  • 生產批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-3 15:30:00

  • 詳細信息
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原廠料號：SIR662DP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!

  • 芯片型號：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內容頁數：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    510.11 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIR662DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市美思瑞電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機：

    15622671495

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-8395143

  • 傳真：

    0755-83950482

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場47樓4707B

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