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SIR774DP-T1-GE3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-單個(gè)-威世科技

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原廠料號(hào)：SIR774DP-T1-GE3品牌：Vishay Siliconix

資料說明：MOSFET N-CH 30V

SIR774DP-T1-GE3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)。制造商VISHAY/威世科技生產(chǎn)封裝的SIR774DP-T1-GE3晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

  • 芯片型號(hào)：

    sir774dp-t1-ge3

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說明：

    MOSFET N-CH 30V

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SIR774DP-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    SkyFET?, TrenchFET?

  • 包裝：

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    32A（Ta），40A（Tc）

  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    4.5V，10V

  • Vgs（最大值）：

    ±20V

  • 描述：

    MOSFET N-CH 30V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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