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SIR812DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIR812DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SIR812DP-T1-GE3
功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
文件大小

160.14 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    SIR812DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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