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SIRA06DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV創(chuàng)新跡電子商

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  • 廠家型號：

    SIRA06DP-T1-GE3

  • 產品分類：

    IC芯片

  • 生產廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    9000

  • 產品封裝：

    DFN8

  • 生產批號：

    2021+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-2-2 14:00:00

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原廠料號：SIRA06DP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

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  • 芯片型號：

    SIRA06DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    359.53 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SIRA06DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    13430590551

  • 詢價：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

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