首頁(yè)>SIRA10DP-T1-GE3>詳情

SIRA10DP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV科恒偉業(yè)二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SIRA10DP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6528

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    1741+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-14 15:58:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SIRA10DP-T1-GE3品牌：VISHAY

只做進(jìn)口原裝正品假一賠十!

  • 芯片型號(hào)：

    SIRA10DP-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIRA10DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/黃先生

  • 手機(jī)：

    13424246946

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82569753

  • 傳真：

    0755-83205202

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

相近型號(hào)