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SIS410DN-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SIS410DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 35A 5.2W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CCSEMI/芯能圓 |
23+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN8 |
58000 |
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詢價 | ||
VISHAY |
QFN |
68393 |
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詢價 | |||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN33 |
502644 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
VISHAY |
22+23+ |
QFN8 |
66983 |
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詢價 | ||
VISHAY |
1242 |
866 |
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詢價 | |||
VISHAY(威世) |
23+ |
PowerPAK1212-8 |
9908 |
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詢價 | ||
V1SHAY |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN |
60620 |
18000 |
詢價 | ||
VISHAY |
24+ |
QFN |
56000 |
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詢價 |
