訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
SIS414DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET華來深電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
SIS414DN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市華來深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機:
13751106682
- 詢價:
- 電話:
0755-83238902/13662247350
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強北路國利大廈新亞洲二期N2B227
相近型號
- SIS413DN-T1-GE3IC
- SIS415DNTT1GE3
- SIS413DN-T1-GE3
- SIS415DNT-T1-GE3
- SIS413DNT1GE3
- SIS416DN-T1-E3
- SIS413DN-T1-E3
- SIS416DNT-T1-GE3
- SIS413DN-T1
- SIS42224VDC
- SIS413DN
- SIS422-24VDC
- SIS4130N-T1
- SIS423
- SIS424DN
- SIS412DN-TI-GE3
- SIS424DN-T1-E3
- SIS424DNT1GE3
- SIS424DN-T1-GE3
- SIS412DN-T1-GE3-W
- SIS412DN-T1-GE3QFN8
- SIS426DN
- SIS426DN1-E3
- SIS412DN-T1-GE3MOS
- SIS426DN1-GE3
- SIS412DN-T1-GE3IC
- SIS426DN-T1
- SIS412DN-T1-GE3-ES
- SIS426DN-T1-E3
- SIS412DN-T1-GE3
- SIS412DNT1GE3
- SIS426DN-T1-GE
- SIS426DNT1GE3
- SIS412DN-T1-E3
- SIS426DN-T1-GE3
- SIS412DN-T1
- SIS426DN-T1-GE3CT
- SIS412DN1-GE3
- SIS426DN-T1-GE3IC
- SIS412DN-1-GE3
- SIS412DN1-E3
- SIS427EDN
- SIS412DN1
- SIS427EDN-T1-E3
- SIS412DN
- SIS427EDNT1GE3
- SIS412
- SIS427EDN-T1-GE3
- SIS427EDN-T1-GE3IC
- SIS410DN-T1-GE3