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SIS606BDN中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIS606BDN
廠商型號(hào)

SIS606BDN

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件大小

229.39 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-2 13:56:00

SIS606BDN規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? Gen IV power MOSFET

? Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Synchronous rectification

? Primary side switch

? DC/DC converter

? Motor drive switch

? Battery and load switch

? Industrial

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
SIS
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
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VISHAY
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