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SIZ916DT-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV東來(lái)寶一部

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    SIZ916DT-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    VISHAY/威世

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    26478

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 16:02:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠(chǎng)料號(hào)：SIZ916DT-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    SIZ916DT-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱(chēng)：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIZ916DT-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市東來(lái)寶電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    鄧先生

  • 手機(jī)：

    13622346275

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    13622346275

  • 傳真：

    0755-82785903

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)布吉街道景芬路華浩源2棟1單元201室/香港九龍新界圓藍(lán)天水圍嘉湖山莊賞湖居六座39E

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