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L9953XP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
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NDS9953A	文件：342.68 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9953A-NL	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
PE9953	文件：118.61 Kbytes Page：1 Pages	BREAKOUT,CRIMPONFORRG58,STANDARDSTACKINGBANANAPLUGS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
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RT9953GQW	文件：163.94 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RT9953GQW	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM

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