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SKB04N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB04N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB04N60_07

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKP04N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SSD04N60J

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSD04N60SL

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSD04N60SL

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

SSE04N60SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSE04N60SL

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SSQ04N60J

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSQF04N60J

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SSRF04N60SL

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SKB04N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
INF
24+
1000
詢價
Infineon
23+
SMD
23401
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
INFINEON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
Infineon
1844+
LQFP
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
SOT-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT263
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
PG-TO263-3
10000
公司只做原裝正品
 詢價
INENOI
23+
SOT263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多SKB04N60供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 14:00:00

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