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SKP02N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SKP02N120
廠商型號(hào)

SKP02N120
參數(shù)屬性

SKP02N120 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
功能描述

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

402.05 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon【英飛凌】

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-9 22:59:00
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SKP02N120規(guī)格書(shū)詳情

SKP02N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SKP02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

? 40lower Eoff compared to previous generation

? Short circuit withstand time – 10 μs

? Designed for:

??? - Motor controls

??? - Inverter

??? - SMPS

? NPT-Technology offers:

??? - very tight parameter distribution

??? - high ruggedness, temperature stable behaviour

??? - parallel switching capability

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SKP02N120XKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.6V @ 15V，2A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    220μJ

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/260ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，2A，91 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO220-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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TO-220
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Infineon Technologies
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PG-TO220-3
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