首頁>SKW30N60HSFKSA1>詳情

SKW30N60HS 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SKW30N60HS參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：SKW30N60HS品牌：INFINEON

深圳現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

SKW30N60HS是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝原廠原封/TO-247-3的SKW30N60HS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SKW30N60HS

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大小：

    353.64 kb

  • 資料說明：

    High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SKW30N60HSFKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.15V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    1.15mJ

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    20ns/250ns

  • 測試條件：

    400V，30A，11 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 41A 250W TO247-3

供應商

  • 企業(yè)：

    千層芯半導體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生,張先生,吳小姐

  • 手機：

    18998940267

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83978748/0755-23611964

  • 傳真：

    0755-23611964

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路109號華康大院2棟2層216-1

相近型號