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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplicationand

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description NP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05m?MAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCissCiss=10500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplication

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP180N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.05mΩMAX.(VGS=10V,ID=90A) ?LowCiss:Ciss=10500pFTYP.(VDS=25V) ?Designedforautomotiveapplic

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WSK180N04

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導體微碩半導體（深圳）有限公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SL180N04供應商 更新時間2025-1-16 14:36:00

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