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SLP7N60C	文件：365.68 Kbytes Page：7 Pages	600V N-Channel MOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
SSF7N60	文件：439.26 Kbytes Page：6 Pages	Extremelyhighdv/dtcapability	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSF7N60A	文件：265.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSF7N60A	文件：256.51 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSF7N60B	文件：656.87 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSF7N60B	文件：265.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSF7N60F	文件：528.95 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedtrenchMOSFETprocesstechnology	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司	SILIKRON
SSF7N60F	文件：1.14786 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
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SSH7N60	文件：650.92 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSH7N60A	文件：283.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSH7N60B	文件：650.92 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSH7N60B	文件：283.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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SSI7N60B	文件：274.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSI7N60B	文件：656.22 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP7N60	文件：915.55 Kbytes Page：11 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSP7N60A	文件：234.51 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V ■LowerRDS(ON):0.977Ω(Typ.)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
SSP7N60A	文件：280.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSP7N60B	文件：280.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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更多SLP7N60C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:12:00

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